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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOD |
| 包装说明： | SOIC-8 PIN | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N | 最小击穿电压： | 90 V |
| 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 4 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 75 V |
| 最大反向电流： | 100 µA | 最大反向恢复时间： | 0.005 µs |
| 反向测试电压： | 50 V | 子类别： | Other Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S8-4148E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Switching Diode Array |
|
| S8-4148E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| S8-4148TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 75V V(RWM), Unidirectional, 4 Element, Silicon, SOIC-8 PIN |
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| S8-4148TRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Diode, |
|
| S8-4150 | MICROSEMI |
获取价格 |
Switching Diode Array |
|
| S8-4150E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Switching Diode Array |
|
| S8-4150E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| S8-4150TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 50V V(RWM), Unidirectional, 4 Element, Silicon, SOIC-8 PIN |
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| S8-4150TRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Diode, |
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| S841TG-1149 | TOKO |
获取价格 |
Inverter Transformer, 12V In Max |
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