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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, | 针数： | 133 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.63 | 其他特性： | DRAM IS ORGANISED AS 16M X 16; SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B133 | 长度： | 11 mm |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 133 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 32MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.1 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S72NS512PE0AHGJ00 | SPANSION |
获取价格 |
Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA133, 11 X 10 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-133 |
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| S72NS512PE0AHGJC0 | SPANSION |
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Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA133, 11 X 10 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-133 |
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| S72NS512PE0AHGJC3 | SPANSION |
获取价格 |
Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA133, 11 X 10 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-133 |
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| S72NS512PE0AHGJG0 | SPANSION |
获取价格 |
Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA133, 11 X 10 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-133 |
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| S72NS512PE0AHGLG2 | SPANSION |
获取价格 |
Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA133, 11 X 10 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-133 |
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| S72NS512PE0AJBGC0 | SPANSION |
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MirrorBit Flash Memory and DRAM |
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| S72NS512PE0AJBGC2 | SPANSION |
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MirrorBit Flash Memory and DRAM |
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| S72NS512PE0AJBGC3 | SPANSION |
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MirrorBit Flash Memory and DRAM |
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| S72NS512PE0AJBGG0 | SPANSION |
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MirrorBit Flash Memory and DRAM |
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| S72NS512PE0AJBGG2 | SPANSION |
获取价格 |
MirrorBit Flash Memory and DRAM |
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