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S72NS512PD0KJFGG3

更新时间： 2024-11-20 05:25:07

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飞索 - SPANSION		闪存存储内存集成电路动态存储器
页数	文件大小	规格书
14页	463K
描述
MirrorBit Flash Memory and DRAM

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S72NS512PD0KJFGG3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	128	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.63
其他特性：	DRAM IS ORGANISED AS 8M X 16; SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE	JESD-30 代码：	S-PBGA-B128
JESD-609代码：	e1	长度：	12 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	128	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.15 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	12 mm
Base Number Matches：	1

S72NS-P Based MCPs/PoPs

MirrorBit^™Flash Memory and DRAM

128/256/512 Mb (8/16/32 M x 16 bit), 1.8 Volt-only,

Multiplexed Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash

Memory

S72NS-P Based MCPs/PoPs Cover Sheet

128/256 Mb (8/16 M x 16 bit) DDR DRAM on Split Bus

Data Sheet (Advance Information)

Notice to Readers: This document states the current technical specifications regarding the Spansion

product(s) described herein. Each product described herein may be designated as Advance Information,

Preliminary, or Full Production. See Notice On Data Sheet Designations for definitions.

Publication Number S72NS-P_00

Revision 01

Issue Date September 6, 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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