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S72NS512PD0KJFGG0

更新时间： 2024-11-20 05:25:07

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飞索 - SPANSION		闪存存储内存集成电路动态存储器
页数	文件大小	规格书
14页	463K
描述
MirrorBit Flash Memory and DRAM

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S72NS512PD0KJFGG0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	128	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	其他特性：	DRAM IS ORGANISED AS 8M X 16; SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE
JESD-30 代码：	S-PBGA-B128	JESD-609代码：	e1
长度：	12 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	128
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	32MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.15 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

S72NS-P Based MCPs/PoPs

MirrorBit^™Flash Memory and DRAM

128/256/512 Mb (8/16/32 M x 16 bit), 1.8 Volt-only,

Multiplexed Simultaneous Read/Write, Burst Mode Flash

Memory

S72NS-P Based MCPs/PoPs Cover Sheet

128/256 Mb (8/16 M x 16 bit) DDR DRAM on Split Bus

Data Sheet (Advance Information)

Notice to Readers: This document states the current technical specifications regarding the Spansion

product(s) described herein. Each product described herein may be designated as Advance Information,

Preliminary, or Full Production. See Notice On Data Sheet Designations for definitions.

Publication Number S72NS-P_00

Revision 01

Issue Date September 6, 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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