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S71NS64JA0BJW10

更新时间： 2024-01-21 05:22:43

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飞索 - SPANSION		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	525K
描述
Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA44, 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-44

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S71NS64JA0BJW10 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.84
其他特性：	PSRAM IS ORGANIZED AS 1M X 16, SYNCHRONOUS BURST MODE ALSO POSSIBLE	JESD-30 代码：	R-PBGA-B44
JESD-609代码：	e1	长度：	9.2 mm
内存密度：	67108864 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	8 mm

S71NS128JA0/S71NS064JA0

Stacked Multi-Chip Product (MCP)

128 Megabit (8 M x 16-Bit) and 64 Megabit (4 M x 16-Bit),

110 nm CMOS 1.8 Volt-only Simultaneous Read/Write,

Burst Mode Flash Memories with

16 Megabit (1M x 16-Bit) pSRAM

ADVANCE

INFORMATION

Data Sheet

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Publication Number S71NS-JA0_00 Revision A Amendment 6 Issue Date September 22, 2005

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
S71NS64JA0BJW110	SPANSION	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA44, 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-44	获取价格
S71NS64JA0BJW113	SPANSION	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA44, 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-44	获取价格
S71NS64JA0BJW12	SPANSION	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA44, 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-44	获取价格
S71NS64JA0BJW13	SPANSION	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA44, 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-44	获取价格
S71NS64JA0BJW232	SPANSION	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA44, 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-44	获取价格
S71NS64JA0BJW30	SPANSION	Memory Circuit, 4MX16, CMOS, PBGA44, 9.20 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-44	获取价格