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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | LBGA, BGA64,8X8,40 | 针数： | 64 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.82 |
| 最长访问时间： | 130 ns | 备用内存宽度： | 8 |
| 命令用户界面： | NO | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PBGA-B64 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 13 mm |
| 内存密度： | 4294967296 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 2K |
| 端子数量： | 64 | 字数： | 268435456 words |
| 字数代码： | 256000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LBGA | 封装等效代码： | BGA64,8X8,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 页面大小： | 8/16 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8/3.3,3/3.3 V |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1.4 mm |
| 部门规模： | 128K | 子类别： | Flash Memories |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 切换位： | NO |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 11 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S70GL02GS11FHA010 | INFINEON |
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| S70GL02GS11FHA013 | INFINEON |
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| S70GL02GS11FHI010 | CYPRESS |
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Flash, 128MX16, 110ns, PBGA64, FBGA-64 |
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| S70GL02GS11FHI010 | INFINEON |
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High Performance Page Mode |
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| S70GL02GS11FHI013 | INFINEON |
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High Performance Page Mode |
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| S70GL02GS11FHI013 | SPANSION |
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Flash, 128MX16, 110ns, PBGA64, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
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| S70GL02GS11FHI020 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 128MX16, 110ns, PBGA64, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
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| S70GL02GS11FHI020 | INFINEON |
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| S70GL02GS11FHI023 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 128MX16, 110ns, PBGA64, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-64 |
|
| S70GL02GS11FHI023 | INFINEON |
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