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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FORTIFIED, LEAD FREE, BGA-64 |
| 针数： | 64 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.52 | 最长访问时间： | 110 ns |
| 备用内存宽度： | 8 | 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B64 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 512 | 端子数量： | 64 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LBGA |
| 封装等效代码： | BGA64,8X8,40 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 页面大小： | 8/16 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3/3.3 V | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1.4 mm | 部门规模： | 128K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 11 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S70GL01GN00FFI120 | SPANSION |
获取价格 |
3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featurin |
|
| S70GL01GN00FFI122 | SPANSION |
获取价格 |
3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featurin |
|
| S70GL01GN00FFI123 | SPANSION |
获取价格 |
3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featurin |
|
| S70GL02GP | SPANSION |
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2 Gigabit, 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technolo |
|
| S70GL02GP10FAI010 | SPANSION |
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2 Gigabit, 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technolo |
|
| S70GL02GP10FAI012 | SPANSION |
获取价格 |
2 Gigabit, 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technolo |
|
| S70GL02GP10FAI013 | SPANSION |
获取价格 |
2 Gigabit, 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technolo |
|
| S70GL02GP10FAI020 | SPANSION |
获取价格 |
2 Gigabit, 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technolo |
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| S70GL02GP10FAI022 | SPANSION |
获取价格 |
2 Gigabit, 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technolo |
|
| S70GL02GP10FAI023 | SPANSION |
获取价格 |
2 Gigabit, 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technolo |
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