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S60JC10V

更新时间: 2024-09-25 09:02:43
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新电元 - SHINDENGEN 肖特基二极管高压局域网
页数 文件大小 规格书
2页 137K
描述
Schottky Barrier Diode

S60JC10V 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-3PV
包装说明:MTO-3PV, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.76
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
应用:HIGH VOLTAGE外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:500 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:60 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

S60JC10V 数据手册

 浏览型号S60JC10V的Datasheet PDF文件第2页 
SchottkyBarrierDiode  
Twin  
■外観図 OUTLINE  
PackageMTO-3PV  
Unitmm  
S60JC10V  
16  
5
例)  
Date code  
100V60A  
管理番例)  
Control No.  
特 長  
V  
低ノイズ  
F
品名略号  
Type No.  
0000  
高耐圧  
高速スイッチング  
S60JC10V  
I  
R
極性  
Polarity  
Feature  
LowV  
LowNoise  
F
HighVoltage HighRecoverySpeed  
LowI  
R
① ② ③ ① ②④ ③  
外形図については新電元Webイトをご参照下さい印表示については捺  
印仕様をご確認下さい。  
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe  
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".  
■定格表 RATINGS  
指定のない場合  
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings(  
Tc25)  
記号  
規格値  
単位  
Item  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
保存温度  
Tstg  
Tj  
55150  
150  
StorageTemperature  
接合部温度  
OperationJunctionTemperature  
せん頭逆電圧  
V
RM  
100  
V
Maximum ReverseVoltage  
出力電流  
50Hz弦波抗負荷1子当りの出力電流平均Io/2,Tc118℃  
Io  
60  
A
AverageRectifiedForwardCurrent  
50Hzsinewave,Resistanceload,RatingforeachdiodeIo/2,Tc=118˚C  
せん頭サージ順電流  
50Hz弦波繰り返1イクルせん頭値Tj25℃  
I
FSM  
500  
A
PeakSurgeForwardCurrent  
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=25˚C  
締め付けトルク  
(推奨値:0.5Nm)  
TOR  
0.8  
Nm  
MountingTorque  
(Recommendedtorque:0.5Nm)  
指定のない場合  
●電気的特性 ElectricalCharacteristics(  
Tc25)  
順電圧  
パルス測定1子当りの規格値  
Pulsemeasurement,Perdiode  
MAX  
V
F
I30A,  
F
0.95  
0.2  
V
mA  
pF  
ForwardVoltage  
逆電流  
パルス測定1子当りの規格値  
MAX  
TYP  
MAX  
I
R
V 100V,  
R
ReverseCurrent  
Pulsemeasurement,Perdiode  
接合容量  
1子当りの規格値  
Cj f1MHz,V 10V,  
R
695  
0.5  
JunctionCapacitance  
Perdiode  
熱抵抗  
接合ース間  
θjc  
/W  
ThermalResistance  
Junctiontocase  
J533-P2010.06)  
www.shindengen.co.jp/product/semi/  

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