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S4360E3

更新时间: 2024-09-29 06:33:23
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美高森美 - MICROSEMI 软恢复二极管软恢复能力电源
页数 文件大小 规格书
2页 143K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 150A, 600V V(RRM), Silicon, DO-205AA, METAL, DO-8, 1 PIN

S4360E3 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-MUPM-X1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.22
其他特性:EXCELLENT RELIABILITY应用:SOFT RECOVERY POWER
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJEDEC-95代码:DO-205AA
JESD-30 代码:O-MUPM-X1最大非重复峰值正向电流:2500 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:150 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向电流:200 µA表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

S4360E3 数据手册

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