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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 关态电压最小值的临界上升速率： | 5 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA | 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V |
| 最大维持电流： | 6 mA | JESD-609代码： | e0 |
| 最大漏电流： | 0.1 mA | 通态非重复峰值电流： | 30 A |
| 最大通态电压： | 1.6 V | 最大通态电流： | 1600 A |
| 最高工作温度： | 100 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 断态重复峰值电压： | 400 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S4001MS3 | TECCOR |
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Silicon Controlled Rectifier, 1600mA I(T), 400V V(DRM) |
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| S4002 | ROHM |
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S4002是SiC（碳化硅）沟槽型MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。关于 |
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| S4003 | ROHM |
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S4003是SiC（碳化硅）功率MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。关于B |
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| S40032LK8 | ETC |
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SYVCHRONOUS DRAM |
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| S40032LK8LK7FB-75A | ETC |
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SYVCHRONOUS DRAM |
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| S40032LK8LK7FB-8A | ETC |
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SYVCHRONOUS DRAM |
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| S40032LK8LK7FC-75A | ETC |
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SYVCHRONOUS DRAM |
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| S40032LK8LK7FC-8A | ETC |
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SYVCHRONOUS DRAM |
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| S40032LK8LK7TW-75A | ETC |
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SYVCHRONOUS DRAM |
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| S40032LK8LK7TW-8A | ETC |
获取价格 |
SYVCHRONOUS DRAM |
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