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S3WB60

更新时间: 2024-11-23 22:14:27
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新电元 - SHINDENGEN 二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 269K
描述
Bridge Diode(600V 2.3A)

S3WB60 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:S-PDIP-W4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.66
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.05 VJESD-30 代码:S-PDIP-W4
JESD-609代码:e1湿度敏感等级:2
最大非重复峰值正向电流:120 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最大输出电流:2.3 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:SQUARE
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
最大反向电流:0.00001 µA子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:WIRE端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

S3WB60 数据手册

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SHINDENGEN  
Bridge Diode  
Square In-line Package  
OUTLINE DIMENSIONS  
Case : S3WB  
S3WB60  
Unit : mm  
600V 2.3A  
RATINGS  
●ꢀAbsolute Maximum Ratings  
Item  
Symbol  
Conditions  
Ratings Unit  
Storage Temperature  
Tstg  
Tj  
VRM  
-40~150  
150  
V
A
A
A2s  
Operating Junction Temperature  
Maximum Reverse Voltage  
Average Rectified Forward Current  
Peak Surge Forward Current  
600  
2.3  
120  
IO 50Hz sine wave, R-load, On glass-epoxy substrate, Ta=40  
IFSM 50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃  
I2t 1mst<10msꢀTc=25℃  
Current Squared Time  
60  
●ꢀElectrical Characteristics (Tl=25)  
Item Symbol  
Conditions  
Ratings Unit  
Max.1.05  
Forward Voltage  
VF IF=2A, Pulse measurement, Rating of per diode  
IR VR=VRM Pulse measurement, Rating of per diode  
θjl junction to lead  
θja junction to ambientꢀ  
V
Reverse Current  
,
Max.10 μA  
Max.5.5 /W  
Max.26.5  
Thermal Resistance  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  

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