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S3WB20

更新时间： 2024-02-07 04:48:56

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新电元 - SHINDENGEN		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	269K
描述
Bridge Diode(200V 2.3A)

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S3WB20 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	S3WB, SQIP-4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.85	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.05 V	JESD-30 代码：	S-PDIP-W4
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	2
最大非重复峰值正向电流：	120 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	2.3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向电流：	0.00001 µA	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

S3WB20 数据手册

SHINDENGEN

Bridge Diode

Square In-line Package

OUTLINE DIMENSIONS

Case : S3WB

S3WB20

Unit : mm

200V 2.3A

RATINGS

●ꢀAbsolute Maximum Ratings

Item

Symbol

Conditions

Ratings Unit

Storage Temperature

Tstg

V_RM

-40～150

150

℃

Operating Junction Temperature

Maximum Reverse Voltage

200

Average Rectified Forward Current I_O50Hz sine wave, R-load, On glass-epoxy substrate, Ta=40℃

2.3

Peak Surge Forward Current

I_FSM50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃

I²t 1ms≦t＜10msꢀＴc=25℃

120

A²ｓ

Current Squared Time

●ꢀElectrical Characteristics (Tl=25℃)

Item Symbol

Conditions

Ratings Unit

Max.1.05

Forward Voltage

V_FIF=2A, Pulse measurement, Rating of per diode

V_R=V_RM, Pulse measurement, Rating of per diode

θjl junction to lead

θja junction to ambientꢀ

Reverse Current

I_R

Max.10 μA

Max.5.5 ℃/W

Max.26.5

Thermal Resistance

ꢀ

12 3 4 5

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