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S34ML01G200BHI000

更新时间： 2024-11-21 20:10:07
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
71页 2106K
描述
Flash, 128MX8, 25ns, PBGA63, BGA-63

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S34ML01G200BHI000 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：VFBGA, BGA63,10X12,32Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：3.55
最长访问时间：25 ns命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B63
长度：11 mm内存密度：1073741824 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
部门数/规模：1K端子数量：63
字数：134217728 words字数代码：128000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装等效代码：BGA63,10X12,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH页面大小：2K words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1 mm部门规模：128K
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.03 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：SLC NAND TYPE宽度：9 mm
Base Number Matches：1

S34ML01G200BHI000 数据手册

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S34ML01G2  
S34ML02G2  
S34ML04G2  
1 Gb, 2 Gb, 4 Gb, 3 V, 4-bit ECC, SLC  
NAND Flash Memory for Embedded  
Distinctive Characteristics  
■ Density  
❐ Device Size  
• 1 Gb: 1 plane per device or 128 Mbyte  
• 2 Gb: 2 planes per device or 256 Mbyte  
• 4 Gb: 2 planes per device or 512 Mbyte  
❐ 1 Gb / 2 Gb / 4 Gb  
■ Architecture  
❐ Input / Output Bus Width: 8 bits / 16 bits  
❐ Page size:  
■ NAND Flash interface  
• ×8:  
❐ Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 compliant  
❐ Address, Data, and Commands multiplexed  
1 Gb: (2048 + 64) bytes; 64-byte spare area  
2 Gb / 4 Gb: (2048 + 128) bytes; 128-byte spare area  
• ×16:  
■ Supply Voltage  
❐ 3.3-V device: VCC = 2.7 V ~ 3.6 V  
1 Gb: (1024 + 32) words; 32-word spare area  
2 Gb / 4 Gb (1024 + 64) words; 64-word spare area  
■ Security  
❐ Block size: 64 Pages  
• ×8:  
1 Gb: 128 KB+ 4 KB  
2 Gb / 4 Gb: 128 KB + 8 KB  
• ×16  
1 Gb: 64k + 2k words  
2 Gb / 4 Gb: 64k + 4k words  
❐ Plane size  
❐ One Time Programmable (OTP) area  
❐ Serial number (unique ID) (Contact factory for support)  
❐ Hardware program/erase disabled during power transition  
■ Additional features  
❐ 2 Gb and 4 Gb parts support Multiplane Program and Erase  
commands  
❐ Supports Copy Back Program  
❐ 2 Gb and 4 Gb parts support Multiplane Copy Back Program  
❐ Supports Read Cache  
• ×8  
1 Gb: 1024 blocks per plane or (128 MB + 4 MB  
2 Gb: 1024 blocks per plane or (128 MB + 8 MB  
4 Gb: 2048 blocks per plane or (256 MB + 16 MB  
■ Electronic signature  
❐ Manufacturer ID: 01h  
• ×16  
■ Operating temperature  
❐ Industrial: –40 °C to 85 °C  
❐ Industrial Plus: –40 °C to 105 °C  
1 Gb: 1024 blocks per plane or (64M + 2M) words  
2 Gb: 1024 Blocks per Plane or (64M + 4M) words  
4 Gb: 2048 Blocks per Plane or (128M + 8M) words  
Performance  
■ Page Read / Program  
❐ 10 Year Data retention (Typ)  
❐ For one plane structure (1-Gb density)  
• Block zero is valid and will be valid for at least 1,000 pro-  
gram-erase cycles with ECC  
❐ Random access: 25 µs (Max) (S34ML01G2)  
❐ Random access: 30 µs (Max) (S34ML02G2, S34ML04G2)  
❐ Sequential access: 25 ns (Min)  
❐ For two plane structures (2-Gb and 4-Gb densities)  
• Blocks zero and one are valid and will be valid for at least  
1,000 program-erase cycles with ECC  
❐ Program time / Multiplane Program time: 300 µs (Typ)  
■ Block Erase (S34ML01G2)  
❐ Block Erase time: 3 ms (Typ)  
■ Package options  
❐ Pb-free and low halogen  
❐ 48-Pin TSOP 12 × 20 × 1.2 mm  
❐ 63-Ball BGA 9 × 11 × 1 mm  
■ Block Erase / Multiplane Erase (S34ML02G2, S34ML04G2)  
❐ Block Erase time: 3.5 ms (Typ)  
■ Reliability  
❐ 100,000 Program / Erase cycles (Typ)  
(with 4-bit ECC per 528 bytes (×8) or 264 words (×16))  
❐ 67-Ball BGA 8 × 6.5 × 1 mm (S34ML01G2, S34ML02G2)  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 002-00499 Rev. *P  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised December 21, 2017  
 
1234567...71

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