5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 13 X 11 MM, FBGA-137 |
| 针数： | 137 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 25 ns | JESD-30 代码： | R-PBGA-B137 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 13 mm |
| 内存密度： | 1073741824 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 137 | 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 128MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 编程电压： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 类型： | NAND TYPE |
| 宽度： | 11 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S30MS01GP25BAW012 | SPANSION |
获取价格 |
1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me |
|
| S30MS01GP25BAW013 | SPANSION |
获取价格 |
1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me |
|
| S30MS01GP25BAW500 | SPANSION |
获取价格 |
1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me |
|
| S30MS01GP25BAW502 | SPANSION |
获取价格 |
1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me |
|
| S30MS01GP25BAW503 | SPANSION |
获取价格 |
1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me |
|
| S30MS01GP25BAW510 | SPANSION |
获取价格 |
1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me |
|
| S30MS01GP25BAW512 | SPANSION |
获取价格 |
1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me |
|
| S30MS01GP25BAW513 | SPANSION |
获取价格 |
1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me |
|
| S30MS01GP25BFW000 | SPANSION |
获取价格 |
1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me |
|
| S30MS01GP25BFW002 | SPANSION |
获取价格 |
1Gb/512Mb, x8/x16, 1.8 Volt NAND Interface Me |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
