Datasheet > S2J-HE3

S2J-HE3

更新时间： 2024-09-28 20:08:07

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
4页	98K
描述
DIODE 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, LEAD FREE, PLASTIC, SMB, 2 PIN, Rectifier Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

S2J-HE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-214AA
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, SMB, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
Base Number Matches：	1

S2J-HE3 数据手册

S2A thru S2M

Vishay General Semiconductor

Surface Mount Glass Passivated Rectifier

FEATURES

• Low profile package

• Ideal for automated placement

• Glass passivated chip junction

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum

peak of 260 °C

DO-214AA (SMB)

• Solder dip 260 °C, 40 s

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

For use in general purpose rectification of

power

supplies,

inverters,

converters

and

PRIMARY CHARACTERISTICS

freewheeling diodes for consumer, automotive and

telecommunication.

I_F(AV)

1.5 A

V_RRM

I_FSM

I_R

50 V to 1000 V

50 A

MECHANICAL DATA

Case: DO-214AA (SMB)

1.0 µA

V_F

1.15 V

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating

T_Jmax.

150 °C

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class

1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade

(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2

whisker test

Polarity: Color band denotes cathode end

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL S2A

S2B

S2D

S2G

S2J

S2K

S2M

UNIT

Device marking code

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

200

140

200

400

280

400

1.5

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current at T_L= 100 °C

100

1000

I_F(AV)

Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave

superimposed on rated load

I_FSM

Operating and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

°C

Document Number: 88712

Revision: 08-Apr-08

For technical questions within your region, please contact one of the following:

PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与S2J-HE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S2J-HE3/52T	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PI
S2J-HE3/5BT	VISHAY	获取价格	DIODE 1.5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PI
S2JHE3_A/H	VISHAY	获取价格	DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA
S2JHE3-52T	VISHAY	获取价格	Surface Mount Glass Passivated Rectifier
S2JHE3-L	MCC	获取价格	Tape : 3K/Reel, 48K/Ctn;
S2JL	HOTTECH	获取价格	SOD-123FL
S2J-L	MCC	获取价格	1.5 Amp Glass Passivated Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts
S2J-LT	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA, DO-214AA, SMBJ,
S2J-LTP	MCC	获取价格	1.5A, 600V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
S2J-L-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT,

与S2J-HE3相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

22
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

18
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

20
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

S2J-HE3

S2J-HE3 技术参数

S2J-HE3 数据手册

与S2J-HE3相关器件

与S2J-HE3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

S2J-HE3

S2J-HE3 技术参数

S2J-HE3 数据手册

与S2J-HE3相关器件

与S2J-HE3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？