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S2BW202

更新时间： 2024-11-26 01:25:55
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描述
SU RFACE MOUNT GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER

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S2BW202 数据手册

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S2AW THRU S2MW  
RFACE MOUNT GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER  
SU  
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 2.0 Ampere  
FEATURES  
SOD-123FL  
Cathode Band  
Top View  
Glass passivated device  
Ideal for surface mouted applications  
Low reverse leakage  
Metallurgically bonded construction  
High temperature soldering guaranteed:  
2.8±0.1  
250 C/10 seconds,0.375”(9.5mm) lead length,  
5 lbs. (2.3kg) tension  
0.6±0.25  
MECHANICAL DATA  
Case: JEDEC SOD-123FL molded plastic body over passivated chip  
Terminals: Solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
3.7±0.2  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Mounting Position: Any  
Weight:0.0007 ounce, 0.02 grams  
Dimensions in millimeters  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.  
SYMBOLS  
S2BW S2DW  
S2AW  
2D1  
S2GW S2JW S2KW  
S2MW  
2D7  
UNITS  
MDD Catalog  
2D2  
100  
70  
2D3  
200  
140  
200  
2D4  
400  
280  
400  
2D5  
600  
420  
600  
2D6  
800  
560  
800  
Number  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
1000 VOLTS  
VOLTS  
50  
35  
50  
VRRM  
VRMS  
VDC  
700  
100  
1000 VOLTS  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
at TA=65 C (NOTE 1)  
I(AV)  
2.0  
Amp  
Peak forward surge current  
IFSM  
50  
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
Amps  
Volts  
rated load (JEDEC Method)  
TL=25 C  
VF  
IR  
1.1  
Maximum instantaneous forward voltage at 2.0A  
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA=25 C  
10.0  
50.0  
µ
A
TA=125 C  
Typical junction capacitance (NOTE 2)  
CJ  
RθJA  
pF  
°C/W  
C
30  
90  
Typical thermal resistance (NOTE 3)  
Operating junction and storage temperature range  
TJ,TSTG  
-55 to +150  
Note:  
1.Averaged over any 20ms period.  
2.Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
3.Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm)lead length,P.C.B. mounted  
12

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