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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.49 |
| 最长访问时间： | 13.5 ns | 启动块： | BOTTOM/TOP |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-PBGA-B84 |
| JESD-609代码： | e1 | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 部门数/规模： | 8, 510 |
| 端子数量： | 84 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 组织： | 32MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA84,10X12,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 页面大小： | 8 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 部门规模： | 16K,64K | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.08 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| S29WS512POPBAW002 | CYPRESS | Flash, 32MX16, 11.2ns, PBGA84 |
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| S29WS512POPBFW000 | CYPRESS | Flash, 32MX16, 11.2ns, PBGA84 |
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| S29WS512POPBFW002 | CYPRESS | Flash, 32MX16, 11.2ns, PBGA84 |
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| S29WS512POSBAW003 | CYPRESS | Flash, 32MX16, 9ns, PBGA84 |
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| S29WS512POSBFW000 | CYPRESS | Flash, 32MX16, 9ns, PBGA84, |
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| S29WS512POSBFW002 | CYPRESS | Flash, 32MX16, 9ns, PBGA84 |
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