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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 11.60 X 8 MM, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FBGA-84 | 针数： | 84 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 80 ns |
| 其他特性： | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE, TOP BOOT BLOCK | 启动块： | TOP |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B84 | 长度： | 11.6 mm |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 84 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -25 °C |
| 组织： | 32MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 编程电压： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S29WS256RAABHW000 | CYPRESS |
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32M X 16 FLASH 1.8V PROM, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FBGA-84 |
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| S29WS256RAABHW003 | SPANSION |
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Flash, 32MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FBGA-84 |
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| S29WS256RAABHW020 | CYPRESS |
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Flash, 16MX16, 80ns, PBGA84, BGA-84 |
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| S29WS256RAABHW203 | SPANSION |
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Flash, 32MX16, 80ns, PBGA84, 11.60 X 8 MM, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FBGA-84 |
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| S29WS256RAABHW320 | CYPRESS |
获取价格 |
Flash, 16MX16, 80ns, PBGA84, BGA-84 |
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| S29WS256RAABHW400 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 32MX16, PBGA84, 11.6 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-84 |
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| S29WS256RAABHW402 | SPANSION |
获取价格 |
Flash, 32MX16, PBGA84, 11.6 X 8 MM, LEAD FREE, FBGA-84 |
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| S29WS512N | SPANSION |
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Stacked Multi-Chip Product (MCP) |
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| S29WS512P | SPANSION |
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Migrating from the S71WS512N to the S71WS512P |
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| S29WS512P0LBAW000 | SPANSION |
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512/256/128 Mb (32/16/8 M x 16 bit) 1.8 V Burst Simultaneous Read/Write MirrorBit Flash Me |
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