是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 18 X 12 MM, LEAD FREE, FORTIFIED, BGA-64 |
针数: | 64 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.64 | 最长访问时间: | 110 ns |
备用内存宽度: | 8 | 启动块: | BOTTOM/TOP |
命令用户界面: | YES | 通用闪存接口: | YES |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-PBGA-B64 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 18 mm |
内存密度: | 268435456 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 512 |
端子数量: | 64 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 16MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LBGA | 封装等效代码: | BGA64,8X8,40 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
页面大小: | 4/8 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.4 mm |
部门规模: | 64K | 最大待机电流: | 0.000005 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 12 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
S29GL256M11TAIR1 | SPANSION |
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Flash | |
S29GL256M11TAIR12 | SPANSION |
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Flash, 16MX16, 110ns, PDSO56, MO-142-EC, TSOP-56 | |
S29GL256M11TAIR13 | SPANSION |
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Flash, 16MX16, 110ns, PDSO56, MO-142EC, TSOP-56 | |
S29GL256M11TAIR2 | SPANSION |
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Flash | |
S29GL256M11TAIR22 | SPANSION |
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Flash, 16MX16, 110ns, PDSO56, MO-142-EC, TSOP-56 | |
S29GL256M11TAIR23 | SPANSION |
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Flash, 16MX16, 110ns, PDSO56, MO-142EC, TSOP-56 | |
S29GL256M11TFIR1 | SPANSION |
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Flash, 16MX16, 110ns, PDSO56, | |
S29GL256M11TFIR10 | SPANSION |
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Flash, 16MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56 | |
S29GL256M11TFIR2 | CYPRESS |
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Flash, 16MX16, 110ns, PDSO56, TSOP-56 | |
S29GL256M11TFIR20 | SPANSION |
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Flash, 16MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, MO-142EC, TSOP-56 |