| 是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
| 生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | BGA |
| 包装说明: | 13 X 11 MM, LEAD FREE, FBGA-64 | 针数: | 64 |
| Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A991.B.1.A |
| HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.28 |
| Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 110 ns |
| 备用内存宽度: | 8 | 命令用户界面: | YES |
| 通用闪存接口: | YES | 数据轮询: | YES |
| JESD-30 代码: | R-PBGA-B64 | JESD-609代码: | e1 |
| 长度: | 13 mm | 内存密度: | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
| 湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
| 部门数/规模: | 64 | 端子数量: | 64 |
| 字数: | 2097152 words | 字数代码: | 2000000 |
| 工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
| 最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 2MX16 |
| 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
| 封装等效代码: | BGA64,8X8,40 | 封装形状: | RECTANGULAR |
| 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 页面大小: | 8/16 words |
| 并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
| 电源: | 1.8/3.3,3/3.3 V | 编程电压: | 3 V |
| 认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
| 座面最大高度: | 1.4 mm | 部门规模: | 64K |
| 最大待机电流: | 0.000005 A | 子类别: | Flash Memories |
| 最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
| 表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
| 温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
| 端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
| 切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
| 宽度: | 11 mm | Base Number Matches: | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S29GL032N11FFIV13 | SPANSION |
获取价格 |
64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Pro |
|
| S29GL032N11FFIV20 | SPANSION |
获取价格 |
64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Pro |
|
| S29GL032N11FFIV22 | SPANSION |
获取价格 |
64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Pro |
|
| S29GL032N11FFIV23 | SPANSION |
获取价格 |
64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Pro |
|
| S29GL032N11TAI010 | SPANSION |
获取价格 |
64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Pro |
|
| S29GL032N11TAI012 | SPANSION |
获取价格 |
64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Pro |
|
| S29GL032N11TAI013 | SPANSION |
获取价格 |
64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Pro |
|
| S29GL032N11TAI020 | SPANSION |
获取价格 |
64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Pro |
|
| S29GL032N11TAI022 | SPANSION |
获取价格 |
64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Pro |
|
| S29GL032N11TAI023 | SPANSION |
获取价格 |
64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Pro |
|
安世荷兰断供中国晶圆 全球汽车产业面临停产危机
中国量子计算再创里程碑:"天衍-287"全球开放,领先超算4.5亿倍
阿里秘密启动"千问"项目 剑指ChatGPT霸主地位
亿纬锂能刘金成:三元电池回收价值优势显著,全生命周期成本或更低