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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | LBGA, | 针数： | 80 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.03 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 54 ns |
| 其他特性： | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK | 启动块： | TOP |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B80 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 32 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 80 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX32 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 编程电压： | 2.7 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.4 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.75 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.6 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 11 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| S29CD032J0JFFI110 | SPANSION | Flash, 1MX32, 54ns, PBGA80, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FORTIFIED, BGA-80 |
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| S29CD032J0JFFI112 | SPANSION | Flash, 1MX32, 54ns, PBGA80, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FORTIFIED, BGA-80 |
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| S29CD032J0JFFI113 | SPANSION | Flash, 1MX32, 54ns, PBGA80, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FORTIFIED, BGA-80 |
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| S29CD032J0JFFI120 | SPANSION | Flash, 1MX32, 54ns, PBGA80, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FORTIFIED, BGA-80 |
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| S29CD032J0JFFI122 | SPANSION | Flash, 1MX32, 54ns, PBGA80, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FORTIFIED, BGA-80 |
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| S29CD032J0JFFI123 | SPANSION | Flash, 1MX32, 54ns, PBGA80, 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FORTIFIED, BGA-80 |
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