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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 64K |  |
| 描述 | ||
| SCR | ||
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.69 | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 750 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 75 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 2.5 V | 最大维持电流： | 115 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大漏电流： | 2.5 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 270 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 25000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -45 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 25 A |
| 断态重复峰值电压： | 400 V | 重复峰值反向电压： | 400 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| S4025LTP | LITTELFUSE |
功能相似  |
Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 16000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Eleme |
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| S2516DH | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
SCR |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S2514MH | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SCR |
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| S2514NH | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SCR |
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| S-25-15 | MEANWELL |
获取价格 |
25W Single Output Switching Power Supply |
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| S25160 | MICROSEMI |
获取价格 |
SILICON POWER RECTIFIER |
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| S25160E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 25A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO-4, 1 |
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| S2516BH | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SCR |
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| S2516DH | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SCR |
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| S2516MH | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SCR |
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| S2516NH | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SCR |
|
| S25180 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier |
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