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S2301

更新时间： 2024-11-05 21:22:31

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	866K
描述
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1200V, 0.111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE

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S2301 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	UNCASED CHIP, X-XXUC-N	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1200 V	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.111 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	X-XXUC-N	元件数量：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	UNSPECIFIED	封装形式：	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON CARBIDE	Base Number Matches：	1

S2301 数据手册

S2301

N-channel SiC power MOSFET bare die

Data Sheet

V_DSS

R_DS(on)(Typ.)

I_D

1200V

80mW

40A*¹

lFeatures

lInner circuit

(D)

1) Low on-resistance

2) Fast switching speed

3) Fast reverse recovery

4) Easy to parallel

(G) Gate

(D) Drain

(S) Source

(G)

*1 Body Diode

5) Simple to drive

(S)

lApplication

• Solar inverters

• DC/DC converters

• Switch mode power supplies

• Induction heating

• Motor drives

lAbsolute maximum ratings (T_a= 25°C)

Parameter

Symbol

V_DSS

Value

1200

Unit

Drain - Source voltage

T_c= 25°C

Continuous drain current

I_D

Pulsed drain current

I_D,pulse

V_GSS

Gate - Source voltage (DC)

Gate - Source surge voltage (T_surge˂ 300nsec)

Junction temperature

-6 to 22

V_GSS-surge

-10 to 26

175

T_j

°C

T_stg

Range of storage temperature

-55 to +175

www.rohm.com

2016.02 - Rev.C

1/11

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