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S20SC9MT

更新时间: 2024-11-02 09:23:43
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新电元 - SHINDENGEN 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 142K
描述
Schottky Barrier Diode

S20SC9MT 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:TO-3PT
包装说明:MTO-3PT, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.76
其他特性:LOW NOISE应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最大输出电流:20 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:90 V
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

S20SC9MT 数据手册

 浏览型号S20SC9MT的Datasheet PDF文件第2页 
SchottkyBarrierDiode  
Twin  
■外観図 OUTLINE  
PackageMTO-3PT  
Unitmm  
S20SC9MT  
16  
5
例)  
Date code  
90V20A  
管理番例)  
Control No.  
特 長  
V  
F
品名略号  
Type No.  
S
0000  
低ノイズ  
20SC9MT  
高速スイッチング  
極性  
Polarity  
Feature  
LowV  
F
LowNoise  
HighRecoverySpeed  
① ② ③ ③  
外形図については新電元Webイトをご参照下さい印表示については捺  
印仕様をご確認下さい。  
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe  
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".  
■定格表 RATINGS  
指定のない場合  
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings(  
Tc25)  
記号  
規格値  
単位  
Item  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
保存温度  
Tstg  
Tj  
55150  
150  
StorageTemperature  
接合部温度  
OperationJunctionTemperature  
せん頭逆電圧  
V
RM  
90  
V
Maximum ReverseVoltage  
繰り返しせん頭サージ逆電圧  
パルス0.5msduty1/40  
Pulsewidth0.5ms,duty1/40  
V
RRSM  
100  
V
RepetitivePeakSurgeReverseVoltage  
出力電流  
50Hz弦波抗負荷1子当りの出力電流平均Io/2,Tc136℃  
Io  
20  
A
AverageRectifiedForwardCurrent  
50Hzsinewave,Resistanceload,RatingforeachdiodeIo/2,Tc=136˚C  
せん頭サージ順電流  
50Hz弦波繰り返1イクルせん頭値Tj150℃  
I
FSM  
200  
A
PeakSurgeForwardCurrent  
50Hzsinewave,Non-repetitive1cyclepeakvalue,Tj=150˚C  
締め付けトルク  
(推奨値:0.5Nm)  
TOR  
0.8  
Nm  
MountingTorque  
(Recommendedtorque:0.5Nm)  
指定のない場合  
●電気的特性 ElectricalCharacteristics(  
Tc25)  
MAX  
0.75  
0.70  
順電圧  
パルス測定1子当りの規格値  
Pulsemeasurement,Perdiode  
V
I10A,  
F
V
F
ForwardVoltage  
TYP  
MAX  
逆電流  
パルス測定1子当りの規格値  
I
R
V 90V,  
R
1
mA  
pF  
ReverseCurrent  
Pulsemeasurement,Perdiode  
接合容量  
1子当りの規格値  
TYP  
MAX  
Cj f1MHz,V 10V,  
R
245  
0.8  
JunctionCapacitance  
Perdiode  
熱抵抗  
接合ース間  
θjc  
/W  
ThermalResistance  
Junctiontocase  
J533-P2010.06)  
www.shindengen.co.jp/product/semi/  

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