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S20D45C PDF预览

S20D45C

更新时间： 2024-11-03 14:52:59
品牌 Logo 应用领域
WON-TOP 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
Powerpack

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S20D45C 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-3P
包装说明：PLASTIC, TO-3P, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：250 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：45 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE

S20D45C 数据手册

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®
S20D30C – S20D100C  
20A DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Schottky Barrier Chip  
H
Guard Ring for Transient Protection  
Low Forward Voltage Drop  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Surge Current Capability  
Epoxy Meets UL 94V-0 Classification  
Ideally Suited for Use in High Frequency  
SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes  
TO-3P  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
1.85  
4.70  
—
Max  
2.15  
5.30  
23.00  
—
S
R
L
J
K
19.00  
2.80  
0.45  
—
PIN1  
2
3
3.20  
0.85  
16.20  
2.70  
3.65 Ø  
4.50  
5.65  
1.40  
2.50  
12.70  
6.00  
P
G
H
J
1.70  
3.15 Ø  
—
Mechanical Data  
N
K
L
Case: TO-3P, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: See Diagram  
Weight: 5.6 grams (approx.)  
M
N
P
5.25  
1.10  
—
M
A
R
S
11.70  
5.00  
B
All Dimensions in mm  
Mounting Position: Any  
Mounting Torque: 1.2 N.m Max.  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
C
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
Case  
G
D
E
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
S20D S20D S20D S20D S20D S20D S20D S20D  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
30C  
35C  
40C  
45C  
50C  
60C  
80C 100C  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
30  
35  
40  
45  
50  
60  
80  
56  
100  
70  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
21  
25  
28  
32  
35  
42  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TC = 100°C  
Total Device  
Per Diode  
20  
10  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed  
on Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
VFM  
200  
A
V
Forward Voltage  
per diode  
@IF = 10A, TJ = 25°C  
@IF = 10A, TJ = 125°C  
0.55  
0.50  
0.75  
0.65  
0.85  
0.75  
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TJ = 25°C  
@TJ = 100°C  
0.5  
20  
IRM  
CJ  
mA  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
650  
350  
Thermal Resistance Junction to Ambient per diode  
Thermal Resistance Junction to Case per diode  
RθJA  
RθJC  
50  
1.5  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S20D45C-LF WTE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 45V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, P
S20D45DPT CHENMKO

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 		Rectifier Diode,
S20D45GPC CHENMKO

获取价格

 		暂无描述
S20D45PT CHENMKO

获取价格

 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
S20D50 MOSPEC

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 		Rectifier Diode,
S20D50C WTE

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S20D50C WON-TOP

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