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S2055AF

更新时间： 2024-11-06 06:09:43

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	119K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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S2055AF 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

S2055AF 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

S2055AF

DESCRIPTION

·With TO-3P(H)IS package

·High voltage ;high speed

·Built-in damper diode

APPLICATIONS

·Horizontal deflection for color TV

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3P(H)IS) and symbol

Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

1500

700

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_C=25℃

℃

150

-55~150

T_j

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance from junction to case

2.5

℃/W

12 3

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