5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.15 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 标称电路换相断开时间： | 35 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 40 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 10 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V | 最大维持电流： | 25 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大漏电流： | 0.5 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 30 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 1000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 10 µA |
| 断态重复峰值电压： | 200 V | 重复峰值反向电压： | 200 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| S401E | LITTELFUSE |
功能相似  |
SCRs (1 A to 70 A) |
|
| EC103D | LITTELFUSE |
功能相似 |
Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
|
| EC103D1 | LITTELFUSE |
功能相似 |
Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S201E73 | TECCOR |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-92, TO-9 |
|
| S201E73AP | TECCOR |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-92, TO-9 |
|
| S201E73RP | TECCOR |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-92, TO-9 |
|
| S201E75 | TECCOR |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-92, TO-9 |
|
| S201E75RP | TECCOR |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-92, TO-9 |
|
| S201EAP | TECCOR |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-92 |
|
| S201EAP | LITTELFUSE |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-92 |
|
| S201ERP | TECCOR |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-92 |
|
| S201K33S3NN63L6R | VISHAY |
获取价格 |
CAP CER 200PF 1KV S3N RADIAL |
|
| S201LS | JOHANSON |
获取价格 |
RF Ceramic Component Proto-Typing Kits |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
