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S2010R52

更新时间： 2024-11-08 18:25:51
品牌 Logo 应用领域
TECCOR 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
14页 3965K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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S2010R52 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.04
外壳连接：ANODE标称电路换相断开时间：35 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：175 V/us
最大直流栅极触发电流：15 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：30 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：10 A
重复峰值关态漏电流最大值：10 µA断态重复峰值电压：200 V
重复峰值反向电压：200 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

S2010R52 数据手册

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与S2010R52相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S2010R53 TECCOR

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
S2010R54 TECCOR

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AC,
S2010R54V LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
S2010R57 TECCOR

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
S2010R58 TECCOR

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
S2010R67 TECCOR

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220, 2
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