S2010L

更新时间： 2024-10-26 22:43:43

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S2010L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	标称电路换相断开时间：	35 µs
配置：	SINGLE	关态电压最小值的临界上升速率：	175 V/us
最大直流栅极触发电流：	15 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	30 mA	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
最大漏电流：	1 mA	通态非重复峰值电流：	100 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	10000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	10 A
重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA	断态重复峰值电压：	200 V
重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2P4M	NEC	功能相似	2A PLASTIC MOLDED THYRISTOR

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S2010L51	TECCOR	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
S2010L52	TECCOR	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
S2010L52V	TECCOR	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
S2010L53	TECCOR	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
S2010L53V	TECCOR	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
S2010L56	TECCOR	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
S2010L56V	TECCOR	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
S2010L58	TECCOR	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
S2010L58V	TECCOR	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
S2010L59	TECCOR	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,