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S1M0W045B0J3

更新时间： 2024-01-23 21:11:24

品牌	Logo	应用领域
精工 - SEIKO		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	133K
描述
256KX16 STANDARD SRAM, 85ns, PBGA48, TFBGA-48

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S1M0W045B0J3 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	85 ns	备用内存宽度：	8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	10 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

S1M0W045B0J3 数据手册

PF1068-02

S1M0W045B0J3

4M-bit Static RAM

●Super Low Voltage Operation and Low Current Consumption

●Access Time 85ns (2.3V)

●262,144 Words x 16-bit / 524,288 Words x 8-bit Asynchronous

●Wide Temperature Range

■ DESCRIPTION

The S1M0W045B0J3 is a 262,144 words x 16-bit (Word-mode) / 524,288 words x 8-bit (Byte-mode) asynchronous,

random access memory on a monolithic CMOS chip. It is possible to select Word-mode or Byte-mode by CIO-

pin: CIO=VDD for Word-mode and CIO=VSS for Byte-mode. Its very low standby power requirement makes it

ideal for applications requiring non-volatile storage with back-up batteries. The asynchronous and static nature

of the memory requires no external clock and no refreshing circuit. It is possible to control the data width by the

data byte control for Word-mode. 3-state output allows easy expansion of memory capacity. The temperature

range of the S1M0W045B0J3 is from –40 to 85°C, and it is suitable for the industrial products.

■ FEATURES

● Fast Access time ........................ 85ns (2.3V)

● Low supply current ..................... LL Version

● Completely static........................ No clock required

● Supply voltage............................ 2.3V to 3.0V

● 3-state output with wired-OR capability

● Non-volatile storage with back-up batteries

● Package ..................................... S1M0W045B0J3

TFBGA-48 pin (Tape CSP)

■ BLOCK DIAGRAM

2048

(2048)

Memory Cell Array

2048 x 2048

(

)

A10

A11

A12

A13

A14

A15

A16

A17

128 x 16(256 x 8)

Column Gate

128

(8)

(256)

CS1

CS2

CIO

16(8)

I/O Buffer

I/O1

I/O16

( ): in case of Byte-mode

Rev.1.1

Rev.1.2

12 3 4 5 6 7...12

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与S1M0W045B0J3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S1M0W046B0J1	SEIKO	获取价格	Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, TFBGA-48
S1M0W046B0J7	SEIKO	获取价格	256KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, TFBGA-48
S1M-13	DIODES	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMA, 2 PIN
S1M-13-F	DIODES	获取价格	1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER
S1M1V045B0J7	SEIKO	获取价格	256KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, TFBGA-48
S1M1V085B0J7	SEIKO	获取价格	512KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, TFBGA-48
S1M1W043B0J7	SEIKO	获取价格	256KX16 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA48, PLASTIC, FBGA-48
S1M8653BQ	SAMSUNG	获取价格	Baseband Circuit, BICMOS, PQFP80, 12 X 12 MM, QFP-80
S1M8656A	SAMSUNG	获取价格	CDMA/AMPS Dual Mode IF/ baseband IC
S1M8656A01-E0T0	SAMSUNG	获取价格	CDMA/AMPS Dual Mode IF/ baseband IC

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