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S1M PDF预览

S1M

更新时间： 2024-02-04 13:52:03
品牌 Logo 应用领域
DCCOM 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 427K
描述
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SURFACE MOUNT SILICON RECTIFIER

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S1M 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
Is Samacsys：N关态电压最小值的临界上升速率：5 V/us
最大直流栅极触发电流：0.2 mA最大直流栅极触发电压：0.8 V
最大维持电流：5 mAJESD-609代码：e0
最大漏电流：0.1 mA通态非重复峰值电流：20 A
最大通态电流：1200 A最高工作温度：110 °C
最低工作温度：-40 °C断态重复峰值电压：600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

S1M 数据手册

 浏览型号S1M的Datasheet PDF文件第2页 
S1A  
THRU  
S1M  
DC COMPONENTS CO., LTD.  
RECTIFIER SPECIALISTS  
R
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SURFACE MOUNT SILICON RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE - 50 to 1000 Volts  
CURRENT - 1.0 Ampere  
FEATURES  
* ldeal for surface mounted applications  
* Low leakage current  
* Glass passivated junction  
SMB ( DO-214AA )  
.083(2.11)  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
.075(1.91)  
* Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
*Terminals: Solder plated, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
.185(4.70)  
.160(4.06)  
* Polarity: As marked  
* Mounting position: Any  
* Weight: 0.093 gram  
.060(1.52)  
.030(0.76)  
.220(5.59)  
.200(5.08)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
SYMBOL  
UNITS  
Volts  
S1A  
50  
S1B  
100  
70  
S1D  
200  
140  
200  
S1G  
400  
280  
400  
S1J  
600  
420  
600  
S1K  
800  
560  
800  
S1M  
1000  
700  
V
V
RRM  
RMS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
Volts  
35  
50  
100  
1000  
V
DC  
O
Volts  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified Current  
I
1.0  
Amps  
at TA = 75 o  
C
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
I
FSM  
30  
Amps  
Volts  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC  
Maximum DC Reverse Current  
1.1  
V
F
@T  
@T  
A
A
= 25oC  
= 100oC  
5.0  
100  
2.5  
uAmps  
I
R
at Rated DC Blocking Voltage  
trr  
RθJL  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 3)  
Typical Thermaesistance (Note 2)  
uSec  
0C/W  
pF  
12  
30  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
CJ  
0 C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ,TSTG  
-65 to + 175  
NOTES : 1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.  
2. Thermal Resistance (Junction to Ambient), 0.2x0.2in2 (5X5mm2 ) copper pads to each terminal.  
3. Test Conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, IRR=0.25A.  
342  
EXIT  
BACK  
NEXT  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S1M(LS) DIODES

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 		1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER
S1M/1 VISHAY

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 		DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
S1M_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, SMA, 2 PI
S1M0V023B0J8 SEIKO

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 		128K X 16 STANDARD SRAM, 85 ns, PBGA48, TFBGA-48
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