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S1J-7-F

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 102K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN

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S1J-7-F 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.55其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：3 µs
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40Base Number Matches：1

S1J-7-F 数据手册

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S1A/B - S1M/B  
1.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED RECTIFIER  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
•
•
•
•
Glass Passivated Die Construction for High Reliability  
Surge Overload Rating to 30A Peak  
Ideally Suited for Automated Assembly  
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note 3)  
B
SMA  
SMB  
Dim  
Min Max Min Max  
2.29 2.92 3.30 3.94  
4.00 4.60 4.06 4.57  
1.27 1.63 1.96 2.21  
0.15 0.31 0.15 0.31  
4.80 5.59 5.00 5.59  
0.05 0.20 0.05 0.20  
0.76 1.52 0.76 1.52  
2.01 2.30 2.00 2.62  
A
J
C
A
B
C
D
E
G
H
J
Mechanical Data  
•
•
Case: SMA/SMB  
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification  
Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Lead Free Plating (Matte Tin Finish).  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking Information: See Page 3  
D
•
•
G
E
H
•
•
•
•
•
Ordering Information: See Page 3  
SMA Weight: 0.064 grams (approximate)  
SMB Weight: 0.093 grams (approximate)  
All Dimensions in mm  
A, B, D, G, J, K, M Suffix Designates SMA Package  
AB, BB, DB, GB, JB, KB, MB Suffix Designates SMB Package  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
S1  
S1  
S1  
S1  
S1  
S1  
S1  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
A/AB B/BB D/DB G/GB J/JB  
K/KB M/MB  
VRRM  
VRWM  
VR  
VR(RMS)  
IO  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
RMS Reverse Voltage  
280  
1.0  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TT = 100°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load  
Forward Voltage  
Peak Reverse Leakage Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 4)  
30  
A
V
IFSM  
VFM  
IRM  
1.1  
@ IF = 1.0A  
@ TA 25°C  
@ TA = 125°C  
=
5.0  
100  
μA  
3.0  
10  
trr  
CT  
μs  
pF  
Typical Total Capacitance  
(Note 1)  
Typical Thermal Resistance, Junction to Terminal (Note 2)  
Operating and Storage Temperature Range  
30  
°C/W  
°C  
Rθ  
TJ, TSTG  
JT  
-65 to +150  
Notes:  
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2. Thermal resistance junction to terminal, unit mounted on PC board with 5.0 mm2 (0.013 mm thick) copper pads as heat sink.  
3. EU Directive 2002/95/EC (RoHS). All applicable RoHS exemptions applied, see EU Directive 2002/95/EC Annex Notes.  
4. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A.  
DS16003 Rev. 17 - 2  
1 of 3  
www.diodes.com  
S1A/B – S1M/B  
© Diodes Incorporated  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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