S15VB60

更新时间： 2024-09-29 03:34:47

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EIC		整流二极管桥式整流二极管
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SILICON BRIDGE RECTIFIER

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S15VB60 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	S-PUFM-D4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	最小击穿电压：	600 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	S-PUFM-D4
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	15 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	参考标准：	TS 16949
最大重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
Base Number Matches：	1

S15VB60 数据手册

SILICON BRIDGE RECTIFIER

S15VB20 ~ S15VB60

BR50

PRV : 200 ~ 600 Volts

Io : 15 Amperes

0.728(18.50)

0.688(17.40)

FEATURES :

* High current capability

1.130(28.70)

1.120(28.40)

0.570(14.50)

0.530(13.40)

0.685

(16.70)

* High surge current capability

* High reliability

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Ideal for printed circuit board

* Pb / RoHS Free

MECHANICAL DATA :

0.210(5.30)

0.200(5.10)

0.658(16.70)

0.618(15.70)

0.032(0.81)

0.028(0.71)

0.252(6.40)

0.248(6.30)

0.100(2.50)

0.090(2.30)

* Case : Molded plastic with heatsink integrally

mounted in the bridge encapsulation

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Terminals : plated .25" (6.35 mm). Faston

* Polarity : Polarity symbols marked on case

* Mounting position : Bolt down on heat-sink with

silicone thermal compound between bridge

and mounting surface for maximum heat

transfer efficiency.

0.905(23.0)

0.826(21.0)

0.310(7.87)

0.280(7.11)

Metal Heatsink

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Weight : 17.1 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

Maximum Reverse Voltage

SYMBOL

S15VB20

S15VB60

UNIT

200

600

VRM

IF(AV)

Maximum Average Forward Current Tc = 83°C

Maximum Peak Forward Surge Current Single half sine wave

Superimposed on rated load (JEDEC Method)

200

IFSM

I²t

A²S

200

Current Squared Time at 2ms ≤ t < 10 ms. Tc = 25 °C

Maximum Forward Voltage per Diode at IF = 7.5 A

Maximum DC Reverse Current at VR = VRRM

(Pulse Measurement, Rating of per diode)

Typical Thermal Resistance (Note 1)

1.05

2.3

150

°C/W

°C

RqJC

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 40 to + 150

TSTG

°C

Notes :

1. Thermal Resistance from junction to case with units mounted on a 5" x 4" x 3" (12.7cm.x 10.2cm.x 7.3cm.) Al.-Finned Plate

Page 1 of 2 Rev. 01 : April 2, 2002

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S15VB60W	LRC	获取价格	High Current Glass Passivated Molding Single-Phase Bridge Rectifier Reverse Voltage 100 to
S15VB80	LRC	获取价格	15A BRIDGE RECTIFIERS
S15VB80W	LRC	获取价格	High Current Glass Passivated Molding Single-Phase Bridge Rectifier Reverse Voltage 100 to
S15VT60	SHINDENGEN	获取价格	3 Phase Bridge Diode(600V 15A)
S15VT80	SHINDENGEN	获取价格	3 Phase Bridge Diode
S15VTA60	SHINDENGEN	获取价格	3 Phase Bridge Diode(600V 15A)
S15VTA80	SHINDENGEN	获取价格	3 Phase Bridge Diode
S15WB20	SHINDENGEN	获取价格	Bridge Diode(200V 15A)
S15WB60	SHINDENGEN	获取价格	Bridge Diode(600V 15A)
S16	YANGJIE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 60V V(RRM), Silicon,

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