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S10VB60

更新时间: 2024-11-25 22:16:23
品牌 Logo 应用领域
新电元 - SHINDENGEN 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 263K
描述
Bridge Diode(600V 10A)

S10VB60 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:S-XUFM-W4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.62
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:S-XUFM-W4
JESD-609代码:e1最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最大输出电流:3.7 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:SQUARE封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:600 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:WIRE端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

S10VB60 数据手册

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SHINDENGEN  
Bridge Diode  
Square In-line Package  
OUTLINE DIMENSIONS  
Case : S10VB  
S10VB60  
Unit : mm  
600V 10A  
RATINGS  
●ꢀAbsolute Maximum Ratings  
Item  
Symbol  
Conditions  
Ratings Unit  
Storage Temperature  
Tstg  
Tj  
VRM  
-40~150  
150  
V
Operating Junction Temperature  
Maximum Reverse Voltage  
600  
Average Rectified Forward Current IO 50Hz sine wave, R-load, Ta=40With heatsink θfa=2.4/W  
50Hz sine wave, R-load, Ta=40Without heatsink  
10  
3.7  
A
Peak Surge Forward Current  
IFSM 50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃  
200  
A
Current Squared Time  
Dielectric Strength  
Mounting Torque  
I2t 1mst<10msꢀTc=25℃  
110  
2
0.8  
A2s  
kV  
Vdis Terminals to case, AC 1 minute  
TOR Recommended torque : 0.5Nm)  
Nm  
●ꢀElectrical Characteristics (Tl=25)  
Item Symbol  
Conditions  
Pulse measurement, Rating of per diode  
Ratings Unit  
Max.1.05  
Forward Voltage  
VF IF=5A,  
V
Reverse Current  
IR  
VR=VRM, Pulse measurement, Rating of per diode  
Max.10 μA  
Max.2.8 /W  
Thermal Resistance  
θjl junction to lead  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  

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