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S10VB20

更新时间： 2024-09-26 22:16:23

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5页	263K
描述
Bridge Diode(200V 10A)

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S10VB20 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, CASE S10VB, SQIP-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	S-PUFM-W4	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	2	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	3.7 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	240	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

S10VB20 数据手册

SHINDENGEN

Bridge Diode

Square In-line Package

OUTLINE DIMENSIONS

Case : S10VB

S10VB20

Unit : mm

200V 10A

RATINGS

●ꢀAbsolute Maximum Ratings

Item

Symbol

Conditions

Ratings Unit

Storage Temperature

Tstg

V_RM

-40～150

150

℃

Operating Junction Temperature

Maximum Reverse Voltage

200

Average Rectified Forward Current I_O50Hz sine wave, R-load, Ta=40℃ With heatsink, θfa=2.4℃/W

50Hz sine wave, R-load, Ta=40℃ Without heatsink

3.7

Peak Surge Forward Current

I_FSM50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃

200

Current Squared Time

Dielectric Strength

Mounting Torque

I²t 1ms≦t＜10msꢀＴc=25℃

110

0.8

A²ｓ

Vdis Terminals to case, AC 1 minute

TOR （Recommended torque : 0.5N･m）

N･m

●ꢀElectrical Characteristics (Tl=25℃)

Item Symbol

Conditions

Pulse measurement, Rating of per diode

Ratings Unit

Max.1.05

Forward Voltage

V_FIF=5A,

Reverse Current

I_R

V_R=V_RM, Pulse measurement, Rating of per diode

Max.10 μA

Max.2.8 ℃/W

Thermal Resistance

θjl junction to lead

ꢀ

12 3 4 5

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