5秒后页面跳转
S10VB10 PDF预览

S10VB10

更新时间: 2024-11-26 02:52:51
品牌 Logo 应用领域
新电元 - SHINDENGEN 半导体
页数 文件大小 规格书
1页 154K
描述
SEMICONDUCTOR

S10VB10 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.92
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-609代码:e0
湿度敏感等级:2最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:4最高工作温度:150 °C
最大输出电流:10 A最大重复峰值反向电压:100 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

S10VB10 数据手册

  

与S10VB10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S10VB20 SHINDENGEN

获取价格

Bridge Diode(200V 10A)
S10VB40 SHINDENGEN

获取价格

SEMICONDUCTOR
S10VB60 SHINDENGEN

获取价格

Bridge Diode(600V 10A)
S10VT60 SHINDENGEN

获取价格

3 Phase Bridge Diode(600V 10A)
S10VT80 SHINDENGEN

获取价格

3 Phase Bridge Diode(800V 10A)
S10VTA60 SHINDENGEN

获取价格

3 Phase Bridge Diode(600V 10A)
S10VTA80 SHINDENGEN

获取价格

3 Phase Bridge Diode(800V 10A)
S10WB20 SHINDENGEN

获取价格

Bridge Diode(200V 10A)
S10WB60 SHINDENGEN

获取价格

Bridge Diode(600V 10A)
S10xC-A Series MERITEK

获取价格

S10xC-A Series | Silicon Rectifier 10A Glass Passivated SMC AECQ