Datasheet > S0700KC17D

S0700KC17D

更新时间： 2024-01-25 22:48:40

品牌	Logo	应用领域
IXYS		栅栅极
页数	文件大小	规格书
15页	181K
描述
Symmetrical GTO SCR, 870A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 1360V V(RRM), 1 Element

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

S0700KC17D 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.83
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	1000 mA
JESD-30 代码：	O-CXDB-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	870 A	断态重复峰值电压：	1700 V
重复峰值反向电压：	1360 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SYMMETRICAL GTO SCR
Base Number Matches：	1

S0700KC17D 数据手册

Date:- 30 Jun, 2004

Data Sheet Issue:- 1

WESTCODE

IXYS

Company

Symmetrical Gate Turn-Off Thyristor

Type S0700KC17#

Absolute Maximum Ratings

MAXIMUM

LIMITS

1700

UNITS

VOLTAGE RATINGS

Repetitive peak off-state voltage, (note 1)

V_DRM

V_DSM

V_RRM

V_RSM

Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)

Repetitive peak reverse voltage

1800

100-1360

Non-repetitive peak reverse voltage

MAXIMUM

LIMITS

UNITS

RATINGS

I_TGQ

L_s

Peak turn-off current, (note 2)

Snubber loop inductance, I_TM=I_TGQ, (note 2)

700

0.3

µH

I_T(AVM)

I_T(RMS)

I_TSM

I_TSM2

I²t

Mean on-state current, T_sink=55°C (note 3)

Nominal RMS on-state current, 25°C (note 3)

Peak non-repetitive surge current t_p=10ms

Peak non-repetitive surge current, (Note 4)

I²t capacity for fusing t_p=10ms

430

870

A²s

A/µs

125×10³

1000

160

di/dt_cr

P_FGM

P_RGM

I_FGM

V_RGM

t_off

Critical rate of rise of on-state current, (note 5)

Peak forward gate power

Peak reverse gate power

Peak forward gate current

100

Peak reverse gate voltage (note 6).

Minimum permissible off-time, I_TM=I_TGQ, (note 2)

Minimum permissible on-time

µs

t_on

µs

T_{j op}

T_stg

Operating temperature range

-40 to +125

-40 to +150

°C

Storage temperature range

Notes:-

1) V_GK=-2Volts.

2) T_j=125°C, V_D=80%V_DM, V_DM<V_DRM, di_GQ/dt=20A/µs, I_TM=I_TGQ& C_S=1.5µF.

3) Double-side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.

4) Half-sinewave, t_p=2ms

5) For di/dt>1000A/µs, consult factory.

6) May exceed this value during turn-off avalanche period.

Data Sheet. Type S0700KC17# Issue 1

Page 1 of 15

July, 2004

12 3 4 5 6 7...15

下载PDF

与S0700KC17D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
S0700KC17E	IXYS	Symmetrical GTO SCR, 870A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 1275V V(RRM), 1 Element	获取价格
S0700KC17F	IXYS	Symmetrical GTO SCR, 870A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 1190V V(RRM), 1 Element	获取价格
S0700KC17G	IXYS	Symmetrical GTO SCR, 870A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 1105V V(RRM), 1 Element	获取价格
S0700KC17J	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 870 A, 1700 V, SYMMETRICAL GTO SCR	获取价格
S0700KC17K	IXYS	Symmetrical GTO SCR, 870A I(T)RMS, 1700V V(DRM), 850V V(RRM), 1 Element	获取价格
S0700KC17M	IXYS	Silicon Controlled Rectifier, 870 A, 1700 V, SYMMETRICAL GTO SCR	获取价格