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S0500KC25Y

更新时间： 2024-11-20 20:36:47
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
15页 319K
描述
Symmetrical GTO SCR, 640A I(T)RMS, 2500V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element,

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S0500KC25Y 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.69配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：2000 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：640 A
断态重复峰值电压：2500 V重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SYMMETRICAL GTO SCRBase Number Matches：1

S0500KC25Y 数据手册

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Date:- 26 Jul, 2005  
Data Sheet Issue:- 3  
WESTCODE  
An IXYS Company  
Symmetrical Gate Turn-Off Thyristor  
Type S0500KC25#  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
UNITS  
VOLTAGE RATINGS  
LIMITS  
2500  
VDRM  
VRSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage  
V
V
V
V
2600  
100-2000  
100-2000  
Non-repetitive peak reverse voltage  
MAXIMUM  
LIMITS  
UNITS  
A
µH  
A
RATINGS  
ITGQM  
Ls  
Maximum peak turn-off current, (note 2)  
Snubber loop inductance, ITM=ITGQM, (note 2)  
500  
0.3  
330  
640  
4.0  
7.2  
80  
1000  
160  
5
100  
18  
90  
20  
IT(AV)M  
IT(RMS)  
ITSM  
ITSM2  
I2t  
di/dtcr  
PFGM  
PRGM  
IFGM  
VRGM  
toff  
Mean on-state current, Tsink=55°C (note 3)  
Nominal RMS on-state current, 25°C (note 3)  
Peak non-repetitive surge current tp=10ms  
Peak non-repetitive surge current, (Note 4)  
I2t capacity for fusing tp=10ms  
Critical rate of rise of on-state current, (note 5)  
Peak forward gate power  
Peak reverse gate power  
A
kA  
kA  
kA2s  
A/µs  
W
kW  
A
V
Peak forward gate current  
Peak reverse gate voltage (note 6)  
Minimum permissible off-time, ITM=ITGQM, (note 2)  
Minimum permissible on-time  
µs  
µs  
ton  
Tjop  
Tstg  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Notes:-  
1) VGK=-2Volts.  
2) Tj=125°C, VD=80%VDRM, VDM<VDRM, diGQ/dt=20A/µs, CS=1µF.  
3) Double-side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Half-sinewave, tp=2ms  
5) For di/dt>1000A/µs, consult factory.  
6) May exceed this value during turn-off avalanche period.  
Data Sheet. Type S0500KC25# Issue 3  
Page 1 of 15  
July, 2005  
1234567...15

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与S0500KC25Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S0500YC20Y LITTELFUSE

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S0504F12 TECCOR

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 4A I(T)RMS, 50V V(DRM), 50V V(RRM), 1 Element, TO-202AB
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