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S-LBAS70BST3G

更新时间： 2024-01-06 22:07:49

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乐山 - LRC		二极管
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4页	253K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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S-LBAS70BST3G 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PBCC-N2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PBCC-N2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.07 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	70 V	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

S-LBAS70BST3G 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

SCHOTTKY BARRIER

DIODE

LBAS70BST5G

Features

S-LBAS70BST5G

ꢀ

Low forward current

ꢀ High breakdown voltage

ꢀ Guard ring protected

ꢀ Low diode capacitance.

^ꢀS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101

Qualified and PPAP Capable.

SOD882

APPLICATIONS

^ꢀUltra high-speed switching

^ꢀVoltage clamping

Cathode

Anode

^ꢀProtection circuits.

DESCRIPTION

Planar Schottky barrier diodes with an integrated guard ring for

stress protection.Single diodes and double diodes with different

pinning are available.

We declare that the material of product

compliance with RoHS requirements.

ORDERING INFORMATION

Device

Marking

Shipping

LBAS70BST1G

S-LBAS70BST1G

5000/Tape&Reel

LBAS70BST3G

8000/Tape&Reel

10000/Tape&Reel

S-LBAS70BST3G

LBAS70BST5G

S-LBAS70BST5G

Rev.B 1/4

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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