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RZB12100Y

更新时间: 2024-10-15 20:08:39
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
1页 76K
描述
TRANSISTOR L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power

RZB12100Y 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
配置:SINGLE最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN最小功率增益 (Gp):7 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

RZB12100Y 数据手册

  

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