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RU7590R

更新时间： 2024-10-30 12:20:39
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锐骏半导体 - RUICHIPS /
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描述
N-Channel Advanced Power MOSFET

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RU7590R  
N-Channel Advanced Power MOSFET  
Features  
Pin Description  
• 75V/90A,  
R
DS (ON) =10mΩ(tpy.)@VGS=10V  
• Super High Dense Cell Design  
• Ultra Low On-Resistance  
• 100% avalanche tested  
TO-220  
• Lead Free and Green Devices Available  
(RoHS Compliant)  
Applications  
• The device is suitable for use in  
PWM ,load switching and general  
purpose applications.  
N-Channel MOSFET  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Unit  
Common Ratings (TC=25°C Unless Otherwise Noted)  
75  
±25  
VDSS  
VGSS  
TJ  
Drain-Source Voltage  
V
Gate-Source Voltage  
°C  
°C  
175  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
TSTG  
-55 to 175  
①
90  
IS  
Diode Continuous Forward Current  
TC=25°C  
TC=25°C  
A
Mounted on Large Heat Sink  
②
360  
IDP  
300μs Pulse Drain Current Tested  
A
A
①
90  
TC=25°C  
TC=100°C  
TC=25°C  
TC=100°C  
ID  
Continuous Drain Current(VGS=10V)  
64  
167  
83  
W
W
PD  
Maximum Power Dissipation  
0.9  
RqJC  
Thermal Resistance-Junction to Case  
°C/W  
Drain-Source Avalanche Ratings  
③
324  
Avalanche Energy, Single Pulsed  
mJ  
EAS  
CopyrightÓ Ruichips Semiconductor Co., Ltd  
Rev. A– FEB., 2012  
www.ruichips.com  
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