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RU4AMWK

更新时间： 2024-02-08 05:27:32

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三垦 - SANKEN		快速恢复二极管
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1页	22K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3.5A, Silicon,

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RU4AMWK 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.6
应用：	FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	70 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	3.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.4 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

RU4AMWK 数据手册

Fast-Recovery Rectifier Diodes

Electrical Characteristics (Ta =25°C)

Absolute Maximum Ratings

Others

Mass

Parameter

t_rr

(µs)

I_F

t_rr

I_FSM

(A)

50Hz

Half-cycle Sinewave

Single Shot

(°C)

Tstg

(°C)

V_F

(V)

I_R

(µA)

I_R

(H)

➀

➁

Rth (j-

)

(µs)

(µA)

I_{F (AV)}

V_RM

(V)

(A)

Fig.

Type No.

V_R=VRM

max

V_R=VRM

( ) is with

Heatsink

I_F

I_RP

I_F

/I_RP

max

(°C/ W)

(g)

100°C max

(A)

(mA)

400

600

100

RU 4M

2.0 (3.5)

2.2 (4.0)

1.3

3.5

300

0.4

0.2

0.18

0.08

–40 to +150

100/100

100/200

8.0

1.2

RU 4AM

RU 4YX

100

0.85 2.0

300

RU 4M series

V_F—I_FCharacteristics (Typical)

I_FMSRating

Ta —I_F(AV)Derating

3.5

20• 20• 1 t Cu

3.0

20ms

5mm

0.1

2.0

150ºC

100ºC

60ºC

1.0

0.01

0.001

25ºC

50 60 75

100

125 150

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

Ambient Temperature Ta (°C)

Forward Voltage V_F(V)

Overcurrent Cycles

RU 4YX

V_F—I_FCharacteristics (Typical)

I_FMSRating

Ta —I_F(AV)Derating

100

4.0

3.0

2.0

1.0

20• 20• 1t Cu

20ms

5mm

0.1

150ºC

100ºC

25ºC

0.01

0.001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

50 60 75

100

125 150

Ambient Temperature Ta (°C)

Forward Voltage V_F(V)

Overcurrent Cycles

External Dimensions

(Unit: mm)

Fig.

1.4 ^±0.1

Flammability:

UL94V-0 or Equivalent

Cathode Mark

6.5^±0.2

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