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RU3Z

更新时间： 2024-02-07 12:26:44

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		功效
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2页	59K
描述
HIGH EFFICIENCY RECTIFIER

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RU3Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.61
应用：	FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.2 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

RU3Z 数据手册

GALAXY ELECTRICAL

RU3YX(Z) --- RU3C(Z)

VOLTAGE RANGE: 100--- 1000 V

CURRENT: 1.1 - 2.0 A

HIGH EFFICIENCY RECTIFIER

FEATURES

Low cost

Diffused junction

Low leakage

DO - 15B

Low forward voltage drop

Easilycleaned with freon, alcohol, lsopropand and

similar solvents

The plastic material carries U/L recognition 94V-0

MECHANICAL DATA

Case: JEDEC DO-15B, molded plastic

Terminals: Axial leads,solderable per

MIL-STD-202,Method 208

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.024 ounces, 0.68 grams

Mounting: Any

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by20%.

RU3YX

RU3

RU3A

RU3B

RU3C UNITS

100

Maximum peak repetitive reverse voltage

Maximum RMS voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

100

Maximum DC blocking voltage

1000

Maximum average forw ard rectified current

2.0

1.5

1.1

1.5

I_F(AV)

9.5mmlead length,

@T_A=75

Peak forw ard surge current

10ms single half-sine-w ave

50.0

0.95

20.0

I_FSM

superimplsed on rated load @T_J=125

Maximum instantaneous forw ard voltage

@ I_F=I_F(AV)

1.5

V_F

I_R

2.5

10.0

Maximumreverse current

@T_A=25

300.0

400.0

100

at rated DC blocking voltage @T_A=100

Maximumreverse recovery time

Typical junction capacitance

Typical thermal resistance

(Note1)

t_rr

(Note2)

(Note3)

C_J

R_θ

/ W

- 55 ----- + 150

Operating junction temperature range

T_J

Storage temperature range

T_STG

NOTE: 1.Measured with I_F=0.5A, I_R=1A, I_rr=0.25A

www.galaxycn.com

2. Measured at 1.0MH_Zand applied rev erse v oltage of 4.0V DC.

3. Thermal resistance junction to ambient.

BLGALAXY ELECTRICAL

Document Number 0262045

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