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RU2CV

更新时间： 2024-01-10 16:32:10

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三垦 - SANKEN		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	254K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, Silicon

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RU2CV 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.6
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	0.8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
最大反向恢复时间：	0.4 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

RU2CV 数据手册

SANKEN ELECTRIC CO., LTD.

RU2C

1.Scope

The present specifications shall apply to Sanken silicon diode, RU2C

2.Outline

Type

Silicon rectifier diode (mesa type)

Structure

Applications

Resin molded

Flammability : UL94V-0(Equivalent)

Pulse rectification, etc.

3.Absolute maximum ratings

Item

Symbol

V_RSM

V_RM

I_F(AV)

I_FSM

T_j

Unit

Rating

1000

Conditions

No.

Transient Peak Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

1000

Average Forward Current

Peak Surge Forward Current

Junction Temperature

0.8

Refer to 6for Derating

10msec.

10ms.Half sinewave, one shot

°C

-40~+150

Storage Temperature

T_stg

4.Electrical characteristics

Item

Symbol

V_F

Unit

Value

Conditions

No.

Forward Voltage Drop

Reverse Leakage Current

1.50 max.

10 max.

I_F=1.0A

I_R

μA

V_R=V_RM

Reverse Leakage Current Under

High Temperature

µA

300 max.

V_R=V_RM, Ta=100°C

I_F=I_RP=10mA,

H･I_R

t_rr1

t_rr2

400 max.

180 max.

15 max.

90% Recovery point

Reverse Recovery Time

Thermal Resistance

I_F=10mA,I_RP=20mA,

75% Recovery point

Between Junction and Lead

R_th(j-l)°C /W

041029

1／3

61426-01

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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