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RU2AMV1

更新时间： 2024-11-09 15:50:03

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三垦 - SANKEN		快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
3页	220K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.1A, Silicon,

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RU2AMV1 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.6
应用：	FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	20 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	1.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.4 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

RU2AMV1 数据手册

SANKEN ELECTRIC CO., LTD.

RU2AM

1. Scope

The present specifications shall apply to a RU2AM.

2. Outline

Type

Silicon Diode

Resin Molded

Structure

Flammability:UL94-V0(Equivalent)

Applications

High Frequency Rectification, etc.

3. Absolute maximum ratings

Item

Symbol

V_RSM

V_RM

I_F(AV)

I_FSM

T_j

Unit

Rating

650

Conditions

No.

Transient Peak Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

600

Average Forward Current

Peak Surge Forward Current

Junction Temperature

1.1

Refer to 6

10msec.

Half sinewave, one shot

°C

-40~+150

Storage Temperature

T_stg

4. Electrical characteristics (Ta=25°C, unless otherwise specified)

No.

Conditions

Item

Symbol Unit

Value

V_F

I_R

1.20 max.

10 max.

I_F=1.1A

Forward Voltage Drop

µA

V_R=V_RM

Reverse Leakage Current

Under High Temperature

µA

300 max.

V_R=V_RM, T_j=100°C

H･I_R

I_F=I_RP=10mA,

Ta=25°C 90％ Recovery point

I_F=10mA, I_RP=20mA,

Ta=25°C 75% Recovery point

Trr-1

Trr-2

µs

0.4 max.

Reverse Recovery Time

Thermal Resistance

0.18 max.

Between Junction and Lead

Rth(j-l) °C /W

15 max.

031201

1／3

61426-01

12 3

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