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RU2560L

更新时间： 2024-02-04 20:56:57
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锐骏半导体 - RUICHIPS /
页数 文件大小 规格书
9页 329K
描述
N-Channel Advanced Power MOSFET

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RU2560L  
N-Channel Advanced Power MOSFET  
Features  
Pin Description  
• 25V/55A,  
R
R
DS (ON) =8mΩ(tpy.)@VGS=10V  
DS (ON) =12mΩ(tpy.)@VGS=4.5V  
• Super High Dense Cell Design  
• Reliable and Rugged  
• Fast Switching and Fully Avalanche Rated  
TO252  
• Lead Free and Green Devices Available  
(RoHS Compliant)  
Applications  
• Power Management in Desktop  
Computer, Portable Equipment and  
DC/DC Converters.  
N-Channel MOSFET  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Unit  
Common Ratings (TA=25°C Unless Otherwise Noted)  
25  
±20  
VDSS  
VGSS  
TJ  
Drain-Source Voltage  
V
Gate-Source Voltage  
°C  
°C  
A
175  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Diode Continuous Forward Current  
TSTG  
IS  
-55 to 175  
55  
TC=25°C  
TC=25°C  
Mounted on Large Heat Sink  
①
220  
IDP  
300μs Pulse Drain Current Tested  
A
A
②
55  
TC=25°C  
TC=100°C  
TC=25°C  
TC=100°C  
ID  
Continuous Drain Current  
43  
50  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
25  
3
RqJC  
Thermal Resistance-Junction to Case  
°C/W  
Drain-Source Avalanche Ratings  
③
121  
Avalanche Energy, Single Pulsed  
mJ  
EAS  
CopyrightÓ Ruichips Semiconductor Co., Ltd  
Rev. B– FEB., 2012  
www.ruichips.com  
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与RU2560L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RU2568L RUICHIPS

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 		N-Channel Advanced Power MOSFET
RU2AG GULFSEMI

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 		FULTRAFAST EFFICIENT GLASS PASSIVATED JUNCTION RECTIFIER VOLTAGE:50 TO 1000V CURRENT: 1.5A
RU2AGF GULFSEMI

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 		SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE:50 TO 1000V CURRENT: 1.5A
RU2AM EIC

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 		Fast-Recovery Rectifier Diodes
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 		HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
RU2AM_05 EIC

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 		FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES
RU2AMV SANKEN

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.1A, Silicon,

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