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RU201TR

更新时间: 2024-09-23 19:46:39
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 15V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

RU201TR 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.84其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR
集电极-发射极最大电压:15 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):100JESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
最高工作温度:75 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
Base Number Matches:1

RU201TR 数据手册

  

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