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RU1WK

更新时间： 2024-10-16 10:38:39

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三垦 - SANKEN		/
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1页	27K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.25A, Silicon

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RU1WK 数据手册

Fast-Recovery Rectifier Diodes

Electrical Characteristics (Ta =25°C)

Absolute Maximum Ratings

Others

Mass

Parameter

t_rr

(µs)

I_F

t_rr

I_FSM

(A)

50Hz

Half-cycle Sinewave

Single Shot

Tj

(°C)

Tstg

(°C)

V_F

(V)

I_R

(µA)

I_R

(H)

➀

➁

Rth (j-

)

(µs)

(µA)

V_RM

(V)

I_{F (AV)}

(A)

Fig.

Type No.

V_R=VRM

max

V_R=VRM

I_F

/

I_RP

I_F

/

I_RP

max

(°C/ W)

(g)

Ta

=

100°C max

(A)

(mA)

(mA)

400

600

RU 1

0.25

0.2

2.5

3.0

RU 1A

RU 1B

RU 1C

RU 2Z

RU 2

15

0.25

10

200

0.4

10/10 0.18 10/20

15

0.4

800

1000

200

A

–40 to +150

600

1.0

20

20

1.5 1.0

1.2 1.1

10

10

300

300

0.4

0.4

10/10 0.18 10/20

10/10 0.18 10/20

15

15

0.4

0.4

800

RU 2B

RU 2C

RU 2M

RU 2AM

1000

400

0.8

1.1

600

RU 1 series

V_F—I_FCharacteristics (Typical)

I_FMSRating

Ta —I_F(AV)Derating

0.25

15

10

5

2.0

1.0

0.5

20ms

0.2

0.15

0.1

0.15

0

0.1

0.05

0.6

0

0

25

50

75

100

125 150

0.7

0.8

1.1

1

1

1

5

10

50

0.9

1.0

Ambient Temperature Ta (°C)

Forward Voltage V_F(V)

Overcurrent Cycles

RU 2 series

V_F—I_FCharacteristics (Typical)

I_FMSRating

Ta —I_F(AV)Derating

20

15

10

5

1.0

5.0

20ms

0.8

0.6

0.4

0.2

0

1.0

0.5

0.1

0.05

0

0

25

50

75

100

125 150

0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2

Forward Voltage V_F(V)

5

10

50

Ambient Temperature Ta (°C)

Overcurrent Cycles

RU 2M series

V_F—I_FCharacteristics (Typical)

I_FMSRating

Ta —I_F(AV)Derating

20

15

10

5

10

1.5

1.2

0.9

0.6

0.3

0

20ms

1

0.1

=

T

a

150ºC

100ºC

60ºC

0.01

25ºC

0.001

0

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

0

25

50

75

100

125 150

5

10

50

Ambient Temperature Ta (°C)

Forward Voltage V_F(V)

Overcurrent Cycles

External Dimensions

(Unit: mm)

Fig.

A

0.78^±0.05

Flammability:

UL94V-0 or Equivalent

Cathode Mark

4.0^±0.2

33

1

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