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RU1H80Q

更新时间： 2024-10-14 09:42:03
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锐骏半导体 - RUICHIPS /
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描述
N-Channel Advanced Power MOSFET

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RU1H80R  
N-Channel Advanced Power MOSFET  
Features  
Pin Description  
• 100V/80A,  
R
DS (ON) =9mW(Type) @ VGS=10V,IDS=40A  
• Ultra Low On-Resistance  
• Exceptional dv/dt capability  
• Fast Switching and Fully Avalanche Rated  
• 100% avalanche tested  
TO-220  
TO-263  
TO-220F  
TO-247  
• 175°C Operating Temperature  
• Lead Free and Green Available  
Applications  
• High Current Switching Applications  
N-Channel MOSFET  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Unit  
Common Ratings (TA=25°C Unless Otherwise Noted)  
100  
±25  
VDSS  
VGSS  
TJ  
Drain-Source Voltage  
V
Gate-Source Voltage  
°C  
°C  
A
175  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Diode Continuous Forward Current  
TSTG  
IS  
-55 to 175  
80  
TC=25°C  
TC=25°C  
Mounted on Large Heat Sink  
①
320  
IDP  
300μs Pulse Drain Current Tested  
A
A
②
80  
TC=25°C  
TC=100°C  
TC=25°C  
TC=100°C  
ID  
Continuous Drain Current  
②
68  
176  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
88  
0.85  
RqJC  
Thermal Resistance-Junction to Case  
°C/W  
Drain-Source Avalanche Ratings  
③
600  
Avalanche Energy, Single Pulsed  
mJ  
EAS  
CopyrightÓ Ruichips Semiconductor Co., Ltd  
Rev. A– NOV., 2010  
www.ruichips.com  
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