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RU15P12C

更新时间： 2024-11-26 17:01:35

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锐骏半导体 - RUICHIPS		/
页数	文件大小	规格书
7页	371K
描述
SOT23-3

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RU15P12C 数据手册

RU15P12C

P-Channel Advanced Power MOSFET

Features

Pin Description

• -15V/-12A,

R_{DS (ON)}=16mΩ(Typ.)@V_GS=-4.5V

R_{DS (ON)}=25mΩ(Typ.)@V_GS=-2.5V

• Uses Ruichips advanced Trench^TMtechnology

• Ultra Low On-Resistance

• Very Fast Switching

• Low Threshold Voltage

• Lead Free and Green Devices (RoHS Compliant)

SOT23-3

Applications

• Load Switch

• Power Management

• Battery Protection

P-Channel MOSFET

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Common Ratings (T_A=25°C Unless Otherwise Noted)

V_DSS

V_GSS

T_J

Drain-Source Voltage

-15

±10

Gate-Source Voltage

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

Diode Continuous Forward Current

150

°C

T_STG

I_S

-55 to 150

-12

T_A=25°C

Mounted on Large Heat Sink

①

300μs Pulse Drain Current Tested

T_A=25°C

T_A=70°C

T_A=25°C

T_A=70°C

-48

-12

-9.5

1.2

0.75

I_DP

②

Continuous Drain Current(V_GS=-4.5V)

Maximum Power Dissipation

I_D

P_D

R_JC

Thermal Resistance-Junction to Case

Thermal Resistance-Junction to Ambient

°C/W

③

107

R_JA

Drain-Source Avalanche Ratings

④

E_AS

Avalanche Energy, Single Pulsed

TBD

Shenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd

Rev. A– JAN., 2023

www.ruichips.com

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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